三端单片开关电源芯片的性能特点
发布时间:2014-09-17 09:51 浏览:59 次
三端单片开关电源芯片是目前国际上正在流行的新型开关电源芯片。专业从事电源半导体芯片设计和生产的美国Power Integration公司在世界上率先研制成功的三端隔离式脉宽调 制单片开关电源集成电路,被誉为“顶级开关电源”。其第一代产品以1994年推出的 TOP100/200系列为代表,第二代产品则是1997年问世的。与第一代产品相比,不仅在性能上有进一步的改进,且其输出功率得到了显著提高,现已成为国际上开发中、小功率开关电源及电源模块的优选集成电路。
2代插座开关芯片有显著的优点:①由于高压M0SFET、PWM及驱动电路等集成在一个芯片里,大大提高了电路的集成度,所以用该芯片设计的开关电源,外接元器件少,可降低成本,缩小体积,提高可靠性;②内置高压MOSFET,寄生电容小,可减少交流损耗;内置的启动电路和电流限制减少了直流损耗,加上CMOS的PWM控制器及驱动器功耗也只有6mW,因此有效地降低了总功耗,提高了效率;③电路设计简单,只有兰个功能引脚,分 别是源极、漏极和控制极;MOSFET的耐压高达700V,因此220V交流电经整流滤波后,可直接供给该电路使用;④芯片内部具有完善的自动保护电路,包括输入欠压保护、输出过流、过热保护及自动再启动功能。
2.TOPSwitch-‖系列芯片的管脚排列和封装
TOPSwitch-‖系列芯片有三种封装形式:TO-220型、DIP-8型和SMD-8型。其中最常见的为三引脚的TO-220封装,如下图所示。
(1)控制极C:占空比控制误差放大器输入端和反馈电流输入脚。启动时,由内部高压电流源提供内部偏置电流;正常工作时,它流入反馈控制电流。它向时用做电源旁路电容和自动启动/补偿电容的接入点。
(2)源极S:在TO-220封装中,它既是MOSFET的源极接点,也是插座电源初级回路的公共点和参考点。
(3)漏极D:MOSFET的漏极接入点。在启动插座时,它提供内部偏置电流。
2代插座开关芯片有显著的优点:①由于高压M0SFET、PWM及驱动电路等集成在一个芯片里,大大提高了电路的集成度,所以用该芯片设计的开关电源,外接元器件少,可降低成本,缩小体积,提高可靠性;②内置高压MOSFET,寄生电容小,可减少交流损耗;内置的启动电路和电流限制减少了直流损耗,加上CMOS的PWM控制器及驱动器功耗也只有6mW,因此有效地降低了总功耗,提高了效率;③电路设计简单,只有兰个功能引脚,分 别是源极、漏极和控制极;MOSFET的耐压高达700V,因此220V交流电经整流滤波后,可直接供给该电路使用;④芯片内部具有完善的自动保护电路,包括输入欠压保护、输出过流、过热保护及自动再启动功能。
2.TOPSwitch-‖系列芯片的管脚排列和封装
TOPSwitch-‖系列芯片有三种封装形式:TO-220型、DIP-8型和SMD-8型。其中最常见的为三引脚的TO-220封装,如下图所示。
(1)控制极C:占空比控制误差放大器输入端和反馈电流输入脚。启动时,由内部高压电流源提供内部偏置电流;正常工作时,它流入反馈控制电流。它向时用做电源旁路电容和自动启动/补偿电容的接入点。
(2)源极S:在TO-220封装中,它既是MOSFET的源极接点,也是插座电源初级回路的公共点和参考点。
(3)漏极D:MOSFET的漏极接入点。在启动插座时,它提供内部偏置电流。
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